高盛：长鑫 2030年前有望实现翻倍增长，3D DRAM研发2027年突破

202 6年 7 月 27 日，中国 DRAM 龙头企业长鑫科技正式登陆上交所科创板。就在上市前三日（ 7 月 24 日），高盛紧急召开“中国存储专家电话会议”，围绕中国 DRAM 产能扩张、产品研发进展及全球存储价格走势三大议题展开深度研讨。

产能：2030年有望实现翻倍增长，高盛视其为确定性主线

高盛对中国本土 DRAM 供应商的产能扩张前景持积极判断。据其分析，到 2030 年，中国存储龙头产能有望在现有基础上实现翻倍以上增长。产能扩张布局覆盖合肥、上海、北京三地，预计相关项目均在 2028 年前陆续全面投产；此外，一处超大型基地将于 2028 年后开始贡献产能，进一步驱动中国 DRAM 供给持续攀升。

值得关注的是，新增DRAM产能不仅采购国际一线设备，也在加速引入国产半导体设备。据专家介绍，部分工厂在光刻机以外的环节已主要采用本土设备。高盛据此作出核心判断：中国DRAM产能扩张不可逆，国产设备替代加速是确定性主线。无论长鑫存储等厂商扩产进度如何，北方华创、中微公司、盛美半导体等本土半导体设备供应商均将是直接受益方。

HBM3 量产目标明确，3D DRAM 研发有望 2027 年突破

在产品技术层面，高盛指出，中国本土 DRAM 龙头的产品性能持续迭代升级，但与三星、SK 海力士等全球一线厂商相比仍存在一定差距。具体而言：HBM3 及 HBM3E 量产是本土龙头 2026 年的明确目标；受制于 EUV 光刻设备出口管制，中国厂商需借助 DUV 及其他创新工艺路线开发高端产品；专家预判，3D DRAM 有望在 2027 年实现产品研发新突破，为绕过 EUV 限制提供可行路径。

财务数据显示，长鑫科技2026 年一季度实现营业收入 508 亿元，同比增长 719%；按收入计，全球 DRAM 市场份额已增长至 8%，位列全球第四大 DRAM 厂商。公司预计 2027 年上半年营业收入将达到 1100 亿元至 1200 亿元。上市首日，长鑫科技开盘报 49.5 元/股，较发行价 8.66 元大涨 471.59%，开盘总市值约 3.31 万亿元，一举超越工商银行成为 A 股总市值第一。

高盛在电话会议中表示，长鑫科技上市不只是一个 IPO 事件，更是中国半导体“国产替代”从概念走向商业落地的里程碑。